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IRF7331PBF

IRF7331PBF

IRF7331PBF.pdf
Produktcode: 26137
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1340/13
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
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Technische Details IRF7331PBF IR

  • MOSFET, P, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:P
  • Typ Voltage Vds:20V
  • Cont Current Id:7A
  • On State Resistance:0.03ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
  • Typ Voltage Vgs th:1.2V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:20V
  • No. of Pins:8
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:28A
  • SMD Marking:F7331
  • Transistor Case Style:SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7331PBF IRF7331PBF Infineon Technologies IRF7331PbF.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
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IRF7331PBF IRF7331PBF Infineon Technologies Infineon_IRF7331_DataSheet_v01_01_EN-1228116.pdf description MOSFETs 20V DUAL N-CH HEXFET 30mOhms 13nC
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IRF7331PBF description IRF7331PbF.pdf
IRF7331PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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IRF7331PBF description Infineon_IRF7331_DataSheet_v01_01_EN-1228116.pdf
IRF7331PBF
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Gehäuse: HSOP-8
Eingangsspannung Uein, V: 36 V
Ausgangsstrom Iausg, A: 0,125
Frequenz F, kHz: 500 kHz
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°С
auf Bestellung: 199 St.
  • 199 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.24 EUR
10+2.92 EUR
100+2.57 EUR
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