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IRF7331PBF

IRF7331PBF

IRF7331PBF.pdf
Produktcode: 26137
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 7
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1340/13
Bem.: 2N
JHGF: SMD
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Anzahl Preis
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Technische Details IRF7331PBF IR

  • MOSFET, P, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:P
  • Typ Voltage Vds:20V
  • Cont Current Id:7A
  • On State Resistance:0.03ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
  • Typ Voltage Vgs th:1.2V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:20V
  • No. of Pins:8
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:28A
  • SMD Marking:F7331
  • Transistor Case Style:SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF7331PBF IRF7331PBF Hersteller : Infineon Technologies IRF7331PbF.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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IRF7331PBF IRF7331PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7331_DataSheet_v01_01_EN-1228116.pdf MOSFETs 20V DUAL N-CH HEXFET 30mOhms 13nC
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MER 330nF 630V 5% P=27.5mm; 11x17.5x30mm (MER334J2JB-Hitano)
Produktcode: 61623
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MER_070523.pdf
MER 330nF 630V 5% P=27.5mm; 11x17.5x30mm (MER334J2JB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 330nF
Nennspannung, V: 630VDC
Präzision: ±5% J
Abstand ausg. und Abmessungen: P=27,5mm; 11x17,5x30mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER334J2JB
auf Bestellung 2683 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.31 EUR
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TPS5430DDAR
Produktcode: 58641
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description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps5431
TPS5430DDAR
Hersteller: TI
IC > IC AC/DC-Schaltregler
Gehäuse: HSOP-8
U eing., V: 36
I ausg., A: 3
F, kHz: 500
Робоча температура, °С: -40…+125°C
auf Bestellung 210 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.60 EUR
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TIP2955
Produktcode: 45618
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to-218-inf.pdf
TIP2955
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-218
fT: 3 MHz
U, V: 60 V
U, V: 100 V
I, А: 15 А
auf Bestellung 50 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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3,3 MOhm 5% 0,5W Ausfuhr. (CR050SJTB-3M3-Hitano)
Produktcode: 33363
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CR-S_080911.pdf
3,3 MOhm 5% 0,5W Ausfuhr. (CR050SJTB-3M3-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,4W 0,5W 0,6W
Resistenz: 3,3 MOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,5W
U Betriebs.,V: 350V
Größe Typ: 6x2,3mm, DAusfuhr.=0,55mm
Typ: Kohlen- ausfuhrungs- miniatur
auf Bestellung 3195 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.01 EUR
1000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MER 100nF 630V J(+/-5%), P=15mm, 9,5x15x18mm (MER104J2JB-Hitano)
Produktcode: 19341
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MER_070523.pdf
MER 100nF 630V J(+/-5%), P=15mm, 9,5x15x18mm (MER104J2JB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 100nF
Nennspannung, V: 630VDC
Präzision: ±5% J
Abstand ausg. und Abmessungen: P=15mm, 9,5x15x18mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER104J2JB
ZCODE: 8532 29 00 00
verfügbar: 713 Stück
110 Stück - stock Köln
603 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.20 EUR
10+0.12 EUR
100+0.10 EUR
1000+0.09 EUR
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