IRF7341GTRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis |
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| 4000+ | 1.15 EUR |
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Technische Details IRF7341GTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF7341GTRPBF nach Preis ab 0.93 EUR bis 3.61 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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IRF7341GTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 112000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7341GTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 5.1A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3866 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7341GTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 12466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7341GTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs PLANAR 40<-<100V |
auf Bestellung 34646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7341GTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF7341GTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7341GTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7341GTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7341GTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R |
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