IRF7341PBF
Produktcode: 26458
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.050
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: 2N
JHGF: SMD
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Weitere Produktangebote IRF7341PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7341PBF | Hersteller : International Rectifier |
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF7341PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: Anzahl je Verpackung: 95 Stücke |
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IRF7341PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
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IRF7341PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 55V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS -55V BVDSS |
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