IRF7341PBF
Produktcode: 26458
Hersteller: IRGehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.050
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: 2N
JHGF: SMD
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.57 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF7341PBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7341PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube |
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IRF7341PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
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IRF7341PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 55V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS -55V BVDSS |
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