Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7341TRPBFXTMA1
IRF7341TRPBFXTMA1

IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+1.65 EUR
83+1.04 EUR
126+0.68 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote IRF7341TRPBFXTMA1 nach Preis ab 0.33 EUR bis 3.47 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF7341_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs PLANAR FET
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.68 EUR
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON 3980139.pdf Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON 3980139.pdf Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 104000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.52 EUR
8000+0.48 EUR
12000+0.45 EUR
20000+0.42 EUR
28000+0.4 EUR
40000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 104000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.52 EUR
8000+0.46 EUR
12000+0.43 EUR
20000+0.39 EUR
28000+0.37 EUR
40000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1102+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.68 EUR
261+0.67 EUR
264+0.64 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.03 EUR
137+1.25 EUR
258+0.63 EUR
261+0.61 EUR
264+0.57 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon_IRF7341_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7341TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR FET
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.48 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.68 EUR
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 3980139.pdf
IRF7341TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 3980139.pdf
IRF7341TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 irf7341.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 104000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.52 EUR
8000+0.48 EUR
12000+0.45 EUR
20000+0.42 EUR
28000+0.4 EUR
40000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 irf7341.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 104000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.52 EUR
8000+0.46 EUR
12000+0.43 EUR
20000+0.39 EUR
28000+0.37 EUR
40000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 irf7341.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1102+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 irf7341.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
258+0.68 EUR
261+0.67 EUR
264+0.64 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 irf7341.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.03 EUR
137+1.25 EUR
258+0.63 EUR
261+0.61 EUR
264+0.57 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH