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IRF7341TRPBFXTMA1

IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4000+0.51 EUR
8000+0.47 EUR
12000+0.45 EUR
20000+0.43 EUR
28000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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Technische Details IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote IRF7341TRPBFXTMA1 nach Preis ab 0.32 EUR bis 2.08 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.39 EUR
83+0.87 EUR
126+0.57 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 29899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.04 EUR
14+1.29 EUR
100+0.85 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF7341_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs PLANAR FET
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+1.18 EUR
100+0.84 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
4000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON 3980139.pdf Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON 3980139.pdf Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.46 EUR
8000+0.45 EUR
12000+0.41 EUR
20000+0.39 EUR
28000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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auf Bestellung 128000 Stücke:
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4000+0.46 EUR
8000+0.44 EUR
12000+0.39 EUR
20000+0.37 EUR
28000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.57 EUR
259+0.56 EUR
262+0.54 EUR
264+0.52 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
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auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.58 EUR
256+0.55 EUR
259+0.53 EUR
262+0.5 EUR
264+0.48 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.32 EUR
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870+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
52+1.39 EUR
83+0.87 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
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AnzahlPreis
9+2.04 EUR
14+1.29 EUR
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1000+0.6 EUR
2000+0.55 EUR
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MOSFETs PLANAR FET
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+2.08 EUR
10+1.18 EUR
100+0.84 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
4000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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AnzahlPreis
4000+0.46 EUR
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12000+0.41 EUR
20000+0.39 EUR
28000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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AnzahlPreis
4000+0.46 EUR
8000+0.44 EUR
12000+0.39 EUR
20000+0.37 EUR
28000+0.35 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1272 Stücke:
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AnzahlPreis
256+0.57 EUR
259+0.56 EUR
262+0.54 EUR
264+0.52 EUR
500+0.51 EUR
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256+0.55 EUR
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500+0.45 EUR
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