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IRF7343TRPBF

IRF7343TRPBF

Infineon_IRF7343_DataSheet_v01_01_EN-1732495.pdf
Produktcode: 180205
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOIC-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 4,7/3,4 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,043/0,095 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/690/24/26
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+0.82 EUR
10+0.74 EUR
100+0.67 EUR
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Technische Details IRF7343TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N/P Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • Continuous Drain Current, Id:4.7A
  • On Resistance, Rds(on):50mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:8-SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies irf7343.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.63 EUR
12000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies irf7343.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.63 EUR
12000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies irf7343.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 264000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.64 EUR
12000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies irf7343.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 264000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.64 EUR
12000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7343-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.71 EUR
12000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies irf7343.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
887+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 887 Stücke
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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies irf7343.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7343pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
64+1.34 EUR
100+0.88 EUR
250+0.76 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies irf7343.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 16171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.2 EUR
144+1.17 EUR
159+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.55 EUR
12000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies irf7343.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 16171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.2 EUR
144+1.19 EUR
159+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.61 EUR
12000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7343-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 50772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.89 EUR
50+1.4 EUR
100+1.25 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 48162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
102+2.27 EUR
147+1.46 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF International Rectifier/Infineon irf7343_IRF.pdf description Транзистор польовий N+P, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3,4 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 790 Stücke:
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IRF7343TRPBF description irf7343.pdf
IRF7343TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.63 EUR
12000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF description irf7343.pdf
IRF7343TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.63 EUR
12000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF description irf7343.pdf
IRF7343TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 264000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.64 EUR
12000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF description irf7343.pdf
IRF7343TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 264000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.64 EUR
12000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF description infineon-irf7343-datasheet-en.pdf
IRF7343TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.71 EUR
12000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF description irf7343.pdf
IRF7343TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
887+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 887 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF description irf7343.pdf
IRF7343TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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IRF7343TRPBF description irf7343pbf.pdf
IRF7343TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+2.06 EUR
64+1.34 EUR
100+0.88 EUR
250+0.76 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF description irf7343.pdf
IRF7343TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 16171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+2.2 EUR
144+1.17 EUR
159+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.55 EUR
12000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF description irf7343.pdf
IRF7343TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 16171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+2.2 EUR
144+1.19 EUR
159+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.61 EUR
12000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF description infineon-irf7343-datasheet-en.pdf
IRF7343TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 50772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3 EUR
12+1.89 EUR
50+1.4 EUR
100+1.25 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF description INFN-S-A0002542220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7343TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 48162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+3.84 EUR
102+2.27 EUR
147+1.46 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3,4 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 790 Stücke:
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