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IRF7343TRPBF

IRF7343TRPBF Infineon Technologies

irf7343.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details IRF7343TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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4000+0.43 EUR
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180+0.80 EUR
181+0.76 EUR
263+0.50 EUR
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Mindestbestellmenge: 144
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143+1.04 EUR
144+0.99 EUR
180+0.77 EUR
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263+0.48 EUR
500+0.44 EUR
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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7343pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
47+1.53 EUR
67+1.07 EUR
175+0.41 EUR
185+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 47
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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7343pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7343_DataSheet_v01_01_EN-3363081.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
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Anzahl Preis
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10+1.32 EUR
100+0.95 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73 Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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12+1.56 EUR
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500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : INFINEON irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73 Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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auf Bestellung 7999 Stücke:
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IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73 Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(55; -55)V; Id=(+4,7; -3,4)A; Pdmax=2W; Rds=(0,05; 0,105) Ohm
auf Bestellung 3464 Stücke:
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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF
Produktcode: 180205
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Hersteller : IR Infineon_IRF7343_DataSheet_v01_01_EN-1732495.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOIC-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7/3,4 A
Rds(on), Ohm: 0,043/0,095 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/690/24/26
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
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