IRF7343TRPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IRF7343TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF7343TRPBF nach Preis ab 0.37 EUR bis 2.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 50/105mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N/P-MOSFET Kind of package: reel Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55/-55V Drain current: 4.7/-3.4A |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF7343TRPBF Produktcode: 180205
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOIC-8 Uds,V: 55 V Idd,A: 4,7/3,4 A Rds(on), Ohm: 0,043/0,095 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 740/690/24/26 Bem.: Два транзистори в одному корпусі JHGF: SMD |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
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