IRF7343TRPBF
Produktcode: 180205
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SOIC-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7/3,4 A
Rds(on), Ohm: 0,043/0,095 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/690/24/26
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
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Technische Details IRF7343TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:Dual N/P Channel
- Drain Source Voltage, Vds:55V
- Continuous Drain Current, Id:4.7A
- On Resistance, Rds(on):50mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Package/Case:8-SOIC
Weitere Produktangebote IRF7343TRPBF nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 16171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 152000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 152000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 43916 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 6999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 3986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 55/-55V Drain current: 4.7/-3.4A On-state resistance: 50/105mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±20V Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET Kind of package: reel Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 7780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A |
auf Bestellung 24541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 44415 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 78690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7343TRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3,4 А,... Група товару: Транзистори Ко Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 790 Stücke: |
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IRF7343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF7343TRPBF | Hersteller : International Rectifier |
MOSFET N/P-CH 55V SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |