Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7343TRPBF
IRF7343TRPBF

IRF7343TRPBF Infineon Technologies

irf7343.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
266+0.54 EUR
298+0.47 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.41 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 266
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF7343TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IRF7343TRPBF nach Preis ab 0.4 EUR bis 2.41 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
266+0.54 EUR
284+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 266
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 116000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 116000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7343-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.62 EUR
8000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.66 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.66 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 6999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
641+0.85 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 641
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A084E32E22F1A303005056AB0C4F&compId=irf7343pbf.pdf?ci_sign=67f4a0e09b642d9ef37643bc443a2be3f815f7f4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 2W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
On-state resistance: 50/105mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6599 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
71+1.02 EUR
84+0.86 EUR
108+0.66 EUR
250+0.57 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A084E32E22F1A303005056AB0C4F&compId=irf7343pbf.pdf?ci_sign=67f4a0e09b642d9ef37643bc443a2be3f815f7f4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 2W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
On-state resistance: 50/105mΩ
auf Bestellung 6599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
71+1.02 EUR
84+0.86 EUR
108+0.66 EUR
250+0.57 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.47 EUR
2000+0.43 EUR
4000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
82+1.78 EUR
100+1.64 EUR
250+1.52 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.31 EUR
2500+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF
Produktcode: 180205
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller : IR Infineon_IRF7343_DataSheet_v01_01_EN-1732495.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOIC-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7/3,4 A
Rds(on), Ohm: 0,043/0,095 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/690/24/26
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7343-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 31902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.39 EUR
12+1.52 EUR
100+0.98 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF7343-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
auf Bestellung 28534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.41 EUR
10+1.53 EUR
100+0.99 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.69 EUR
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002542220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 84004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH