IRF7351TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.77 EUR |
| 8000+ | 0.72 EUR |
| 12000+ | 0.7 EUR |
| 20000+ | 0.69 EUR |
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Technische Details IRF7351TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF7351TRPBF nach Preis ab 0.85 EUR bis 2.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 3876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual |
auf Bestellung 4236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 28816 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF7351TRPBF | Hersteller : International Rectifier |
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF7351TRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1330 @ 30, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 17,8 мОм @ 8 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 50 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |