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IRF7351TRPBF

IRF7351TRPBF Infineon Technologies

infineonirf7351datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details IRF7351TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.92 EUR
8000+0.73 EUR
12000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
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500+1 EUR
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IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+1.15 EUR
8000+1.08 EUR
12000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7351pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2.37 EUR
54+1.58 EUR
60+1.43 EUR
75+1.15 EUR
100+1.05 EUR
250+0.93 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.38 EUR
100+2.24 EUR
250+2.11 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.89 EUR
2500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF INFINEON IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.67 EUR
250+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.3 EUR
76+2.23 EUR
106+1.54 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.05 EUR
2000+1 EUR
4000+0.86 EUR
8000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.3 EUR
76+2.27 EUR
106+1.59 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.11 EUR
4000+0.98 EUR
8000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF INFINEON IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.88 EUR
87+2.67 EUR
250+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 25469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
2000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRF7351-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+3.09 EUR
100+2.12 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.04 EUR
4000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBF infineonirf7351datasheetv0101en.pdf
IRF7351TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.92 EUR
8000+0.73 EUR
12000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBF infineonirf7351datasheetv0101en.pdf
IRF7351TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRF7351TRPBF infineonirf7351datasheetv0101en.pdf
IRF7351TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBF irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b
IRF7351TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+1.15 EUR
8000+1.08 EUR
12000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7351TRPBF irf7351pbf.pdf
IRF7351TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+2.37 EUR
54+1.58 EUR
60+1.43 EUR
75+1.15 EUR
100+1.05 EUR
250+0.93 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBF infineonirf7351datasheetv0101en.pdf
IRF7351TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+2.38 EUR
100+2.24 EUR
250+2.11 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.89 EUR
2500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBF IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7351TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.67 EUR
250+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBF infineonirf7351datasheetv0101en.pdf
IRF7351TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+3.3 EUR
76+2.23 EUR
106+1.54 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.05 EUR
2000+1 EUR
4000+0.86 EUR
8000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBF infineonirf7351datasheetv0101en.pdf
IRF7351TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+3.3 EUR
76+2.27 EUR
106+1.59 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.11 EUR
4000+0.98 EUR
8000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRF7351TRPBF IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7351TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+3.88 EUR
87+2.67 EUR
250+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBF irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b
IRF7351TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 25469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.24 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
2000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.84 EUR
10+3.09 EUR
100+2.12 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.04 EUR
4000+0.89 EUR
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IRF7351TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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