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IRF7379 IOR


irf7379pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9cbf21b85 Hersteller: IOR

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Technische Details IRF7379 IOR

Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.

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IRF7379 Hersteller : IOR irf7379pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9cbf21b85 09+
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IRF7379 Hersteller : IOR irf7379pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9cbf21b85 09+ SO-8
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IRF7379 Hersteller : IOR irf7379pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9cbf21b85 2004
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IRF7379 Hersteller : Infineon Technologies irf7379pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9cbf21b85 Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
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