IRF7380TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 1.58 EUR |
| 16+ | 1.15 EUR |
| 100+ | 0.88 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF7380TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF7380TRPBF nach Preis ab 0.74 EUR bis 1.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7380TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL NCh 80V 3.6A |
auf Bestellung 17912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7380TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7380TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
IRF7380TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| IRF7380TRPBF |
IRF7380TRPBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
| IRF7380TRPBF |
IRF7380TRPBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 1026 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
IRF7380TRPBF Produktcode: 43150
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7380TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7380TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7380TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
IRF7380TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 3.6A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 3.6A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |