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IRF740SPBF

IRF740SPBF Siliconix

sihf740s.pdf
Produktcode: 154285
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Hersteller: Siliconix
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 В
Drain-Strom Idd, A: 10 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1400/63
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF740SPBF IRF740SPBF Vishay sihf740s.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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57+2.98 EUR
100+2.76 EUR
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY VISH-S-A0013329289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
auf Bestellung 1481 Stücke:
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100+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 410 Stücke:
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39+4.41 EUR
47+3.65 EUR
53+3.17 EUR
100+2.78 EUR
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auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.24 EUR
51+3.27 EUR
58+2.8 EUR
100+2.55 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRF740SPBF IRF740SPBF Vishay Semiconductors sihf740s.pdf MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
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100+3.06 EUR
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IRF740SPBF IRF740SPBF Vishay Siliconix sihf740s.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
10+4.74 EUR
50+3.67 EUR
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500+2.71 EUR
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IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY VISH-S-A0013329289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
auf Bestellung 1481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.77 EUR
56+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY IRF740SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF740SPBF IRF740SPBF Vishay sihf740s.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF740SPBF IRF740SPBF Vishay sihf740s.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF740SPBF Vishay/IR sihf740a_Vishay.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 274 Stücke:
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IRF740SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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57+2.98 EUR
100+2.76 EUR
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IRF740SPBF VISH-S-A0013329289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF740SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
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AnzahlPrivatkunde
100+3.83 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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47+3.65 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
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IRF740SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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100+3.32 EUR
500+2.71 EUR
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IRF740SPBF VISH-S-A0013329289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF740SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
auf Bestellung 1481 Stücke:
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56+3.83 EUR
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IRF740SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF740SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740SPBF sihf740s.pdf
IRF740SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF740SPBF sihf740a_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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NE555D
Produktcode: 153317
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NE555.pdf slfs022i.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: SO-8
Beschreibung: Timer; 1 Ausgang; 4.5...16V
Temperaturbereich: 0...+70°С
auf Bestellung: 1088 St.
  • 1088 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.25 EUR
10+0.23 EUR
100+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
33nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B333K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 2069
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
X7R_X5R.pdf
33nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B333K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 33 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 4387 St.
  • 4387 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+0.036 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.019 EUR
10000+0.011 EUR
Mindestbestellmenge: 40 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
22uF 25V ECR 5x11mm (ECR220M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 1926
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ECR_081225.pdf
22uF 25V ECR 5x11mm (ECR220M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung: 3856 St.
  • 3856 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+0.058 EUR
28+0.043 EUR
100+0.031 EUR
1000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 21 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
68,1 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-68R1-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1801
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RC_series.pdf
68,1 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-68R1-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 68,1 Ohm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1800 St.
  • 1800 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
110+0.012 EUR
200+0.006 EUR
Mindestbestellmenge: 110 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
36 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-36K-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1743
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RC_series.pdf
36 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-36K-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 36 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 2972 St.
  • 2972 St. - stock Köln
auf Bestellung: 20400 St.
  • 20400 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
260+0.0046 EUR
270+0.0045 EUR
1000+0.0036 EUR
10000+0.0027 EUR
Mindestbestellmenge: 260 St.
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