Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7413ZTRPBFXTMA1
IRF7413ZTRPBFXTMA1

IRF7413ZTRPBFXTMA1 Infineon Technologies

irf7413z.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+1.49 EUR
178+0.99 EUR
258+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.42 EUR
4000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 120 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF7413ZTRPBFXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 8000 µohm, SO-8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.

Weitere Produktangebote IRF7413ZTRPBFXTMA1 nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.94 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7413ZTRPBFXTMA1 IRF7413ZTRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.49 EUR
178+0.96 EUR
258+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.37 EUR
4000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFXTMA1 IRF7413ZTRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF7413Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 1434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.45 EUR
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFXTMA1 IRF7413ZTRPBFXTMA1 INFINEON irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 8000 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.94 EUR
208+1.12 EUR
320+0.67 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFXTMA1 IRF7413ZTRPBFXTMA1 INFINEON irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 8000 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.94 EUR
208+1.12 EUR
320+0.67 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFXTMA1 irf7413z.pdf
IRF7413ZTRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+1.49 EUR
178+0.96 EUR
258+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.37 EUR
4000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFXTMA1 Infineon_IRF7413Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7413ZTRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 1434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.78 EUR
10+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.45 EUR
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFXTMA1 irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2
IRF7413ZTRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 8000 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
130+1.94 EUR
208+1.12 EUR
320+0.67 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFXTMA1 irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2
IRF7413ZTRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 8000 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
130+1.94 EUR
208+1.12 EUR
320+0.67 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH