IRF7413ZTRPBFXTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 13+ | 1.46 EUR |
| 20+ | 0.91 EUR |
| 100+ | 0.59 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.40 EUR |
| 2000+ | 0.37 EUR |
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Technische Details IRF7413ZTRPBFXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SO-8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF7413ZTRPBFXTMA1 nach Preis ab 0.34 EUR bis 0.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3602 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3602 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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