IRF7425PBF
Produktcode: 20322
Hersteller: IRGehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 15
Rds(on),Om: 0.0082
Ciss, pF/Qg, nC: 7980/87
/: SMD
verfügbar 2 Stück:
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 2.25 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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| IRF7425PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 15 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 7980 @ 15; Qg, нКл = 130 @ 4,5 В; Rds = 8,2 мОм @ 15 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; SOICN-8 |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7425PBF |
IRF7425PBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF7425PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V |
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IRF7425PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 20V 1 P-CH HEXFET 8.2mOhms 87nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7425PBF | Hersteller : Infineon (IRF) |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -15A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of channel: enhanced |
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