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IRF7425PBF

IRF7425PBF

IRF7425PBF.pdf
Produktcode: 20322
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 15
Rds(on),Om: 0.0082
Ciss, pF/Qg, nC: 7980/87
/: SMD
verfügbar 2 Stück:
Anzahl Preis
1+2.25 EUR
10+2.00 EUR
100+1.50 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF7425PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf7425pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb1c361bdc P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 15 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 7980 @ 15; Qg, нКл = 130 @ 4,5 В; Rds = 8,2 мОм @ 15 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7425PBF irf7425pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb1c361bdc IRF7425PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
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IRF7425PBF IRF7425PBF Hersteller : Infineon Technologies irf7425pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb1c361bdc Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V
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IRF7425PBF IRF7425PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7425_DataSheet_v01_01_EN-1732538.pdf MOSFET 20V 1 P-CH HEXFET 8.2mOhms 87nC
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IRF7425PBF IRF7425PBF Hersteller : Infineon (IRF) irf7425pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 8.2mΩ
Gate-source voltage: ±12V
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