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IRF7450PBF Infineon (IR) N-MOSFET Transistor 3W 30V 2,5A 170mΩ SO8

Name: IRF7450PBF Infineon (IR) N-MOSFET Transistor 3W 30V 2,5A 170mΩ SO8
Brand: IR
SKU: 32457
Price: 1.29 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 32457

Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 200
Idd,A: 02.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.17
Ciss, pF/Qg, nC: 940/26
JHGF: SMD

verfügbar 33 Stück:

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Technische Details IRF7450PBF Infineon (IR) N-MOSFET Transistor 3W 30V 2,5A 170mΩ SO8 IR

IRF7450PBF Infineon (IR) N-MOSFET Transistor 3W 30V 2,5A 170mΩ SO8

Hersteller Infineon (IR)

Transistortyp N-MOSFET

Polarisierung unipolar

Drain-Source Spannung 30V

Drainstrom 2.5A

Leistung 3W

Betriebstemperatur 150° C

Gehäuse SO8

Gewicht: 0.21 g

Artikelnummer: 32457

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	IRF7450PBF	Hersteller : Infineon / IR	MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 170mOhms 26nC	auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	IRF7450PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000

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Anzahl Kontakte: -
1,25 mm
Серія роз’єма: Контакти для NX1251
Монтаж: на провід

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Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000

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verfügbar: 27302 Stück

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