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IRF7471PBF

IRF7471PBF

IRF7471PbF.pdf
Produktcode: 23971
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 40
Idd,A: 10
JHGF: SMD
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Technische Details IRF7471PBF IR

  • MOSFET, N, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:40V
  • Cont Current Id:10A
  • On State Resistance:0.013ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:40V
  • No. of Transistors:1
  • Pin Format:1 S
  • 2 S
  • 3 S
  • 4 G
  • 5 D
  • 6 D
  • 7 D
  • 8 D
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:83A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:IRF7471PBF
  • Transistor Case Style:SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF7471PBF IRF7471PBF Infineon Technologies IRF7471PbF.pdf description Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
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IRF7471PBF IRF7471PBF Infineon / IR irf7471-1169301.pdf description MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 21nC
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IRF7471PBF description IRF7471PbF.pdf
IRF7471PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
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IRF7471PBF description irf7471-1169301.pdf
IRF7471PBF
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 21nC
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74HC157D
Hersteller: Philips
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-16
Beschreibung: Encoders, Decoders, Multiplexers & Demultiplexers QUAD 2-IN MUX
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 2 ... 6 V
T°C: -40 ... + 125 ° C
Тип логіч. елем.: Multiplexers
auf Bestellung 1280 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Platte Adapter SO28/SSOP28/SOIC28/MSOP28/TSSOP28/SSOP28 für DIP-28
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Опис: SO28 / SSOP28 / SOIC28 / MSOP28 / TSSOP28 / SSOP28 на 28 контактов
Тип: Перехідники
Вид: двостороння
auf Bestellung 160 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 210 St.:
10 St. - erwartet
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