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IRF7471PBF

IRF7471PBF

IRF7471PbF.pdf
Produktcode: 23971
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 40
Idd,A: 10
JHGF: SMD
auf Bestellung 10 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details IRF7471PBF IR

  • MOSFET, N, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:40V
  • Cont Current Id:10A
  • On State Resistance:0.013ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:40V
  • No. of Transistors:1
  • Pin Format:1 S
  • 2 S
  • 3 S
  • 4 G
  • 5 D
  • 6 D
  • 7 D
  • 8 D
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:83A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:IRF7471PBF
  • Transistor Case Style:SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF7471PBF IRF7471PBF Hersteller : Infineon Technologies irf7471pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC
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IRF7471PBF IRF7471PBF Hersteller : Infineon Technologies IRF7471PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 20 V
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IRF7471PBF IRF7471PBF Hersteller : Infineon / IR irf7471-1169301.pdf MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 21nC
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BZX84-C11
Hersteller: NXP
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Gehäuse: SOT-23
Ustab.,V: 11
Istab.direkt,A: 5mA
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 7.4mV/K
auf Bestellung 4760 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.03 EUR
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Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 49,9 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 6534 Stück
1000 Stück - stock Köln
5534 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.00 EUR
1000+0.00 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Ustab.,V: 13
Istab.direkt,A: 0,03
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 9.4mV/K
auf Bestellung 1510 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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39 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
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Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 39 kOhm
Resistenz: ±5% J
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603
verfügbar: 24585 Stück
4495 Stück - stock Köln
20090 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 10
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