IRF7471PBF

IRF7471PBF

Produktcode: 23971
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 40
Idd,A: 10

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Technische Details IRF7471PBF

  • MOSFET, N, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:40V
  • Cont Current Id:10A
  • On State Resistance:0.013ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:40V
  • No. of Transistors:1
  • Pin Format:1 S
  • 2 S
  • 3 S
  • 4 G
  • 5 D
  • 6 D
  • 7 D
  • 8 D
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:83A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:IRF7471PBF
  • Transistor Case Style:SOIC

Preis IRF7471PBF ab 0.78 EUR bis 0.98 EUR

IRF7471PBF
Hersteller:

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IRF7471PBF
IRF7471PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7471PBF - Power MOSFET, N Channel, 40 V, 10 A, 0.013 ohm, SOIC, Surface Mount
Transistor Polarity: N Channel
On Resistance Rds(on): 0.013
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 2.5
Continuous Drain Current Id: 10
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: MSL 1 - Unlimited
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 3
Drain Source Voltage Vds: 40
Transistor Case Style: SOIC
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 8
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IRF7471PBF
IRF7471PBF
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 21nC
irf7471-1169301.pdf
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IRF7471PBF
IRF7471PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820pF @ 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Idd,A: 12
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
ZCODE: 8541290010
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№ 7: 8541 10 00 10
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Hersteller: HP
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Gehäuse: DIP-8
Typ: 2 Transit ОК, Steuer. und Ausg.Log.TTL
U-isol, kV: 2.5
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U ausg, V: 5.5
Ton/Toff, µs: 10 MBit/s
29 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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