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IRF7471PBF

IRF7471PBF

IRF7471PbF.pdf
Produktcode: 23971
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Bemerkung: -
Montage: SMD
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Technische Details IRF7471PBF IR

  • MOSFET, N, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:40V
  • Cont Current Id:10A
  • On State Resistance:0.013ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:40V
  • No. of Transistors:1
  • Pin Format:1 S
  • 2 S
  • 3 S
  • 4 G
  • 5 D
  • 6 D
  • 7 D
  • 8 D
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:83A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:IRF7471PBF
  • Transistor Case Style:SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7471PBF IRF7471PBF Infineon Technologies IRF7471PbF.pdf description Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
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IRF7471PBF IRF7471PBF Infineon / IR irf7471-1169301.pdf description MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 21nC
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IRF7471PBF description IRF7471PbF.pdf
IRF7471PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
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IRF7471PBF description irf7471-1169301.pdf
IRF7471PBF
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 21nC
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Größentyp: Size-E
verfügbar: 23 St.
  • 23 St. - stock Köln
erwartet: 500 St.
  • 500 St. - erwartet 17.09.2026
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  • 97 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet
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  • 25 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 6,3 V
Toleranz: ±10%
Größentyp: Size-D
Zolltarifnummer: 8532 21 00 00
erwartet: 4000 St.
  • 4000 St. - erwartet 01.10.2026
auf Bestellung: 4767 St.
  • 4767 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.94 EUR
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Nennwert: 121 Ohm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 W
U Betrieb, V: 50 V
Bauform: 0603
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1090 St.
  • 1090 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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1000+0.0031 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 St.
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Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/61
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
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