Weitere Produktangebote IRF7473PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| IR | Hersteller : IR |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRF7473PBF | Hersteller : International Rectifier |
 SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IRF7473PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 25 V |
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IRF7473PBF | Hersteller : Infineon / IR |
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 61nC |
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