Technische Details IRF7473TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRF7473TRPBF nach Preis ab 1.02 EUR bis 3.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IRF7473TRPBF | Infineon Technologies |
  Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7473TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7473TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 4939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7473TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7473TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 6.9A 26mOhm 61nC |
auf Bestellung 3962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7473TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7473TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF7473TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 4000+ | 1.02 EUR |
| IRF7473TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
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| 4000+ | 1.02 EUR |
| IRF7473TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 493+ | 1.32 EUR |
| 514+ | 1.25 EUR |
| 1000+ | 1.15 EUR |
| IRF7473TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
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| 493+ | 1.32 EUR |
| 514+ | 1.25 EUR |
| 1000+ | 1.15 EUR |
| IRF7473TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 6.9A 26mOhm 61nC
MOSFETs MOSFT 100V 6.9A 26mOhm 61nC
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.14 EUR |
| 10+ | 2.57 EUR |
| 100+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.31 EUR |
| 2000+ | 1.21 EUR |
| 4000+ | 1.18 EUR |
| IRF7473TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| IRF7473TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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