IRF7476TRPBF Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 828+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 10000+ | 0.63 EUR |
| 100000+ | 0.52 EUR |
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Technische Details IRF7476TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7476TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12, Dauer-Drainstrom Id: 15, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: HEXFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRF7476TRPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IRF7476TRPBF | Infineon / IR |
MOSFET MOSFT 12V 15A 8mOhm 26nC |
auf Bestellung 1789 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF7476TRPBF |
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Hersteller: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 12V 15A 8mOhm 26nC
MOSFET MOSFT 12V 15A 8mOhm 26nC
auf Bestellung 1789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)



