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IRF7480MTRPBF

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Produktcode: 200134
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF Infineon Technologies irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30 Description: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V
auf Bestellung 19200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4800+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF Infineon Technologies infineonirf7480mdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 128152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.9 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.33 EUR
10000+2.02 EUR
100000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF Infineon Technologies infineonirf7480mdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 50600 Stücke:
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228+2.9 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.33 EUR
10000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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auf Bestellung 33098 Stücke:
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228+2.9 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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auf Bestellung 13969 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF INFINEON INFN-S-A0002298778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF Infineon Technologies infineonirf7480mdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 4770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.3 EUR
72+2.37 EUR
73+2.28 EUR
100+1.96 EUR
250+1.92 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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auf Bestellung 4770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.3 EUR
72+2.27 EUR
73+2.17 EUR
100+1.81 EUR
250+1.73 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF Infineon Technologies irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30 Description: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V
auf Bestellung 23402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.15 EUR
10+4 EUR
100+2.77 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7480M_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
auf Bestellung 8682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+4.32 EUR
100+3.01 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.34 EUR
2500+2.23 EUR
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IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF INFINEON INFN-S-A0002298778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.79 EUR
50+4.71 EUR
100+3.02 EUR
500+2.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRF7480MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V
auf Bestellung 19200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4800+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF7480MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 128152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
228+2.9 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.33 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 50600 Stücke:
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228+2.9 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 33098 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
228+2.9 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.33 EUR
10000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 13969 Stücke:
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IRF7480MTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.02 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 4770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+3.3 EUR
72+2.37 EUR
73+2.28 EUR
100+1.96 EUR
250+1.92 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 4770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+3.3 EUR
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100+1.81 EUR
250+1.73 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.34 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V
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MOSFETs 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
auf Bestellung 8682 Stücke:
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IRF7480MTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1137 Stücke:
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33+7.79 EUR
50+4.71 EUR
100+3.02 EUR
500+2.51 EUR
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