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IRF7480MTRPBF Infineon Technologies

Name: IRF7480MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 5028020-3
Price: 7920 EUR
Availability: InStock

irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V

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Technische Details IRF7480MTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: DirectFET ME, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRF7480MTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

222527429267947irf7480m.pdffileid5546d462533600a4015355ff8fa41c30.pdffileid5546d.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R

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IRF7480MTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V

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MOSFETs 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET

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Hersteller : INFINEON

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Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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Produktcode: 200134

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Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 330A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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