IRF7492PBF International Rectifier/Infineon

N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 3,7 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1820 @ 25; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 79 мОм @ 2,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOICN-8
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Technische Details IRF7492PBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V.
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IRF7492PBF Produktcode: 26534
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Hersteller : IR |
![]() Gehäuse: SO-8 Uds,V: 200 Idd,A: 03.07.2015 Rds(on), Ohm: 0.079 Ciss, pF/Qg, nC: 1820/39 JHGF: SMD |
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IRF7492PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF7492PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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