IRF7492PBF
Produktcode: 26534
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 200
Idd,A: 03.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.079
Ciss, pF/Qg, nC: 1820/39
JHGF: SMD
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Weitere Produktangebote IRF7492PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7492PBF | Hersteller : Infineon |
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF7492PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,7 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1820 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 79 мОм @ 2,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. Anzahl je Verpackung: 95 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7492PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V |
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IRF7492PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 79mOhms 39nC |
Produkt ist nicht verfügbar |