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IRF7493TRPBF

IRF7493TRPBF Infineon Technologies

irf7493.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
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4000+0.74 EUR
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Technische Details IRF7493TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Infineon Technologies irf7493.pdf description Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Infineon Technologies irf7493.pdf description Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3560 Stücke:
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214+0.82 EUR
217+0.8 EUR
220+0.76 EUR
250+0.74 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.69 EUR
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
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IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Infineon Technologies irf7493.pdf description Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3560 Stücke:
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210+0.83 EUR
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217+0.75 EUR
220+0.7 EUR
250+0.67 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Infineon Technologies irf7493.pdf description Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3938 Stücke:
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195+0.89 EUR
201+0.86 EUR
203+0.83 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Infineon Technologies irf7493pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffcce21c40 description Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4000 Stücke:
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4000+0.9 EUR
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IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7493_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 80V 9.2A 15mOhm 31nC Qg
auf Bestellung 6105 Stücke:
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4+0.99 EUR
10+0.96 EUR
100+0.95 EUR
1000+0.94 EUR
4000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF International Rectifier irf7493pbf.pdf description MOSFET N-CH 80V 9.3A SOIC-8 Транзистори
auf Bestellung 15 Stücke:
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2+3.02 EUR
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IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF INFINEON INFN-S-A0002373289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 1623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+3.02 EUR
112+2.08 EUR
250+1.5 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
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IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF INFINEON INFN-S-A0002373289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 1623 Stücke:
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IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Infineon Technologies irf7493pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffcce21c40 description Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
auf Bestellung 6513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.52 EUR
10+2.24 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRF7493TRPBF description irf7493.pdf
IRF7493TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 116000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.75 EUR
8000+0.71 EUR
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IRF7493TRPBF description irf7493.pdf
IRF7493TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
214+0.82 EUR
217+0.8 EUR
220+0.76 EUR
250+0.74 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.69 EUR
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF description irf7493.pdf
IRF7493TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
210+0.83 EUR
214+0.79 EUR
217+0.75 EUR
220+0.7 EUR
250+0.67 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.58 EUR
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IRF7493TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3938 Stücke:
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201+0.86 EUR
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1000+0.76 EUR
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IRF7493TRPBF description irf7493pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffcce21c40
IRF7493TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7493TRPBF description Infineon_IRF7493_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7493TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 80V 9.2A 15mOhm 31nC Qg
auf Bestellung 6105 Stücke:
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10+0.96 EUR
100+0.95 EUR
1000+0.94 EUR
4000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF7493TRPBF description irf7493pbf.pdf
IRF7493TRPBF
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 80V 9.3A SOIC-8 Транзистори
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF description INFN-S-A0002373289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7493TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 1623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
83+3.02 EUR
112+2.08 EUR
250+1.5 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF description INFN-S-A0002373289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7493TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 1623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.02 EUR
112+2.08 EUR
250+1.5 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF description irf7493pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffcce21c40
IRF7493TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
auf Bestellung 6513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.52 EUR
10+2.24 EUR
100+1.5 EUR
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