Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7493TRPBF
IRF7493TRPBF

IRF7493TRPBF Infineon Technologies

irf7493.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
219+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 219
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF7493TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote IRF7493TRPBF nach Preis ab 0.55 EUR bis 1.11 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7493.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7493.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 252000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7493.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 252000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7493.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
192+0.77 EUR
195+0.73 EUR
198+0.69 EUR
250+0.66 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.59 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 192
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7493.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
189+0.78 EUR
192+0.74 EUR
195+0.71 EUR
198+0.67 EUR
250+0.63 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7493pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffcce21c40 Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7493_DataSheet_v01_01_EN-3363100.pdf MOSFETs MOSFT 80V 9.2A 15mOhm 31nC Qg
auf Bestellung 5946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.94 EUR
10+0.91 EUR
25+0.90 EUR
250+0.89 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7493.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 312000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
542+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 542
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7493pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffcce21c40 Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
auf Bestellung 10910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.11 EUR
100+1.01 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002373289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002373289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7493.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irf7493pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffcce21c40 MOSFET N-CH 80V 9.3A SOIC-8
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7493.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7493pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel
Case: SO8
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 9.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7493pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel
Case: SO8
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 9.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH