Technische Details IRF7495PBF
- MOSFET, N, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:100V
- On State Resistance:0.022ohm
- Max Voltage Vgs:20V
- Transistor Case Style:SOIC
- Case Style:SOIC
- Cont Current Id:7.3A
- Fall Time Tf:36ns
- No. of Transistors:1
- Pin Configuration:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D
- Power Dissipation Pd:2.5W
- Pulse Current Idm:58A
- Rise Time:13ns
- Termination Type:SMD
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:100V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Weitere Produktangebote IRF7495PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7495PBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 7,3, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1530pF @ 25V, Qg, нКл = 51, Rds = 22 mOhm @ 4.4A, 10V, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = ±20V,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 95 Stücke |
verfügbar 26 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF7495PBF |
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 7,3, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1530pF @ 25V, Qg, нКл = 51, Rds = 22 mOhm @ 4.4A, 10V, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = ±20V,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 7,3, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1530pF @ 25V, Qg, нКл = 51, Rds = 22 mOhm @ 4.4A, 10V, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = ±20V,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 26 Stücke:


