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IRF7495TRPBF

IRF7495TRPBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details IRF7495TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies irf7495pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF INFINEON 107897.pdf Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 1192 Stücke:
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IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies irf7495pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7495_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 7.3A 22mOhm 34nC Qg
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IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies irf7495pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fff4931c4b Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 25 V
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IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF INFINEON 107897.pdf Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
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AnzahlPrivatkunde
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96+1.76 EUR
114+1.46 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
2000+0.99 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3218 Stücke:
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Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
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Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
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Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 25 V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
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59+4.27 EUR
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