IRF7501TR International Rectifier/Infineon
Hersteller: International Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2,4 А; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 260 @ 15; Qg, нКл = 8 @ 4,5 В; Rds = 135 мОм @ 1,7 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; MICRO-8
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 1.45 EUR |
| 10+ | 1.25 EUR |
| 100+ | 1.10 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF7501TR International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA, Supplier Device Package: Micro8™, Part Status: Obsolete.
Weitere Produktangebote IRF7501TR nach Preis ab 1.34 EUR bis 1.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7501TR | Hersteller : IR |
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8 Udss=20V; Id=2,4A; Pdmax=1,25W; Rds=0,135 Ohm |
auf Bestellung 4930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||
 |
IRF7501TR Produktcode: 109125
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||
 |
IRF7501TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
IRF7501TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Obsolete |
Produkt ist nicht verfügbar |