IRF7501TRPBF Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 1.17 EUR |
| 8000+ | 1.06 EUR |
| 12000+ | 0.96 EUR |
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Technische Details IRF7501TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: Micro8™, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 1.25W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote IRF7501TRPBF nach Preis ab 0.71 EUR bis 2.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IRF7501TRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7501TRPBF | Infineon / IR |
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 2.4A Micro 8 |
auf Bestellung 21116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7501TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 2.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.25 Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 8045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7501TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 2.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.25 Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 8045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7501TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 1.25 EUR |
| 8000+ | 1.11 EUR |
| 12000+ | 1 EUR |
| IRF7501TRPBF |
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Hersteller: Infineon / IR
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 2.4A Micro 8
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 2.4A Micro 8
auf Bestellung 21116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.87 EUR |
| 10+ | 1.65 EUR |
| 100+ | 1.26 EUR |
| 500+ | 1 EUR |
| IRF7501TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 8045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 125+ | 2.01 EUR |
| 173+ | 1.34 EUR |
| 250+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.82 EUR |
| 2000+ | 0.71 EUR |
| IRF7501TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 8045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 125+ | 2.01 EUR |
| 173+ | 1.34 EUR |
| 250+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.82 EUR |
| 2000+ | 0.71 EUR |