Technische Details IRF7507 IR
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8, Packaging: Tube, Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: Micro8™, Part Status: Discontinued at Digi-Key.
Weitere Produktangebote IRF7507
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| IRF7507 | Hersteller : IR | SO-8 |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRF7507 | Hersteller : N/A |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRF7507PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
 Транзистор польовий N+P; Udss, В = 20; Id = 2,4 А; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 260 @ 15; Qg, нКл = 8 @ 4,5 В; Rds = 140 мОм @ 1,7 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; Id2 = 1,7 А; MICRO-8 |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7507 Produktcode: 27069
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SO-8 Uds,V: 20 Idd,A: 02.04.2015 Rds(on), Ohm: 0.135 Ciss, pF/Qg, nC: 03.05.260 Bem.: N+P(1,7A) JHGF: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7507 | Hersteller : Infineon / IR |
MOSFETs |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7507PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7507PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8 Packaging: Tube Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Discontinued at Digi-Key |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7507PBF | Hersteller : Infineon / IR |
MOSFET MICRO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |