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IRF7507


Hersteller: IR
SO-8
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Technische Details IRF7507 IR

Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Supplier Device Package: Micro8™, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 1.25W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF7507PBF International Rectifier/Infineon irf7507pbf.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 2,4 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 260 @ 15, Qg, нКл = 8 @ 4,5 В, Rds = 140 мОм @ 1,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА, Id2 = 1,7 А,... Транзистори Корпус: M
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 49 Stücke:
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 2,4 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 260 @ 15, Qg, нКл = 8 @ 4,5 В, Rds = 140 мОм @ 1,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА, Id2 = 1,7 А,... Транзистори Корпус: M
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