IRF7509TRPBF

IRF7509TRPBF Infineon Technologies


irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF7509TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IRF7509TRPBF nach Preis ab 0.50 EUR bis 1.87 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7509_DataSheet_v01_01_EN-3363199.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 2.4A Micro 8
auf Bestellung 6954 Stücke:
Lieferzeit 136-140 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.44 EUR
10+1.17 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
2000+0.54 EUR
4000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
auf Bestellung 5063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.87 EUR
15+1.18 EUR
100+0.78 EUR
500+0.60 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003528766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003528766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7509TRPBF Hersteller : IR irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(30; -30)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm
auf Bestellung 3998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7509TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 2,7 A; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 210 @ 25; Qg, нКл = 12 @ 10 В; Rds = 110 мОм @ 1,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9,7 нс; td(off)+tf = 19 нс;
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF
Produktcode: 32320
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller : IR irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: Micro-8
Uds,V: 30
Idd,A: 2.7; -2
Rds(on), Ohm: 0.11; 0,2
Bem.: N and P channel
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.70 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7509-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7509pbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7509TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c IRF7509TRPBF Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH