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IRF7530TRPBF

IRF7530TRPBF

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Produktcode: 31263
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 5,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1310/18
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+0.68 EUR
10+0.6 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies irf7530.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.04 EUR
235+0.74 EUR
247+0.69 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
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IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies irf7530.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.3 EUR
138+1.26 EUR
191+0.89 EUR
250+0.87 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies irf7530.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.64 EUR
136+1.25 EUR
138+1.19 EUR
191+0.82 EUR
250+0.79 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7530_DataSheet_v01_01_EN-3363010.pdf MOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.96 EUR
10+1.52 EUR
100+1.08 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.69 EUR
4000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies irf7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356036f371c6c Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
13+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542223-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542223-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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IRF7530TRPBF International Rectifier irf7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356036f371c6c MOSFET N-CH DUAL, 20V, 5.4A, MICRO-8 Транзистори
auf Bestellung 2 Stücke:
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2+3.03 EUR
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IRF7530TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
170+1.04 EUR
235+0.74 EUR
247+0.69 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
136+1.3 EUR
138+1.26 EUR
191+0.89 EUR
250+0.87 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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136+1.25 EUR
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MOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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IRF7530TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 89 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF7530TRPBF INFN-S-A0002542223-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7530TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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IRF7530TRPBF irf7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356036f371c6c
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH DUAL, 20V, 5.4A, MICRO-8 Транзистори
auf Bestellung 2 Stücke:
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