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IRF7530TRPBF

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Produktcode: 31263
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 05.04.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1310/18
Bem.: 2N
JHGF: SMD
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IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7530.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
auf Bestellung 3980 Stücke:
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138+1 EUR
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138+0.97 EUR
191+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7530_DataSheet_v01_01_EN-3363010.pdf MOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8
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IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356036f371c6c Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Not For New Designs
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IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002542223-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002542223-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7530TRPBF Hersteller : International Rectifier irf7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356036f371c6c MOSFET N-CH DUAL, 20V, 5.4A, MICRO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7530.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
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IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356036f371c6c Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Not For New Designs
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