IRF7580MTRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF7580MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 114, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 96, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96, Bauform - Transistor: DirectFET ME, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IRF7580MTRPBF nach Preis ab 1.35 EUR bis 8.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRF7580MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
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IRF7580MTRPBF | Hersteller : International Rectifier |
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V |
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IRF7580MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V |
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IRF7580MTRPBF | Hersteller : Infineon / IR |
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet |
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IRF7580MTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 96 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 96 Bauform - Transistor: DirectFET ME Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRF7580MTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 96 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRF7580MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7580MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7580MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V |
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IRF7580MTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 116A; 115W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 116A Power dissipation: 115W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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