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IRF7580MTRPBF

IRF7580MTRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7580m-datasheet-v01_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 2169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
109+1.63 EUR
110+1.58 EUR
112+1.52 EUR
114+1.46 EUR
116+1.42 EUR
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Technische Details IRF7580MTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 114, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 96, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96, Bauform - Transistor: DirectFET ME, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7580MTRPBF IRF7580MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012826543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4041 Stücke:
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135+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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IRF7580MTRPBF IRF7580MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012826543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
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productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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IRF7580MTRPBF IRF7580MTRPBF Infineon Technologies infineon-irf7580m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 2169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.93 EUR
109+1.57 EUR
110+1.49 EUR
112+1.4 EUR
114+1.33 EUR
116+1.25 EUR
250+1.18 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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IRF7580MTRPBF IRF7580MTRPBF International Rectifier IRSD-S-A0000576616-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
auf Bestellung 7423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
239+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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IRF7580MTRPBF IRF7580MTRPBF Infineon Technologies IRSD-S-A0000576616-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
239+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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IRF7580MTRPBF IRF7580MTRPBF Infineon / IR Infineon_IRF7580M_DataSheet_v01_01_EN-1228365.pdf MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
auf Bestellung 148 Stücke:
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100+4.69 EUR
500+3.86 EUR
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IRF7580MTRPBF INFN-S-A0012826543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7580MTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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AnzahlPrivatkunde
135+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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IRF7580MTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
135+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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IRF7580MTRPBF infineon-irf7580m-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7580MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 2169 Stücke:
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92+1.93 EUR
109+1.57 EUR
110+1.49 EUR
112+1.4 EUR
114+1.33 EUR
116+1.25 EUR
250+1.18 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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IRF7580MTRPBF IRSD-S-A0000576616-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF7580MTRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
auf Bestellung 7423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
239+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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IRF7580MTRPBF IRSD-S-A0000576616-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF7580MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
239+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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IRF7580MTRPBF Infineon_IRF7580M_DataSheet_v01_01_EN-1228365.pdf
IRF7580MTRPBF
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.45 EUR
10+5.82 EUR
100+4.69 EUR
500+3.86 EUR
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