IRF7606TRPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 154+ | 0.94 EUR |
| 217+ | 0.64 EUR |
| 247+ | 0.54 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| 2000+ | 0.41 EUR |
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Technische Details IRF7606TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7606TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.09 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF7606TRPBF nach Preis ab 0.48 EUR bis 1.81 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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IRF7606TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs MOSFT PCh -30V -3.6A 90mOhm 20nC Micro 8 |
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IRF7606TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7606TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.09 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF7606TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7606TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.09 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7606TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7606TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7606TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V |
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IRF7606TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V |
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IRF7606TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.8W; Micro8 Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: HEXFET® Case: Micro8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Power dissipation: 1.8W |
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