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IRF7749L1TRPBF

IRF7749L1TRPBF Infineon Technologies

irf7749l1pbf.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
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Technische Details IRF7749L1TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7749L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 0.0015 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 345A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRF7749L1TRPBF IRF7749L1TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
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IRF7749L1TRPBF IRF7749L1TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356043d6b1ca0 Description: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 25 V
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42+3.34 EUR
100+3.18 EUR
250+3.02 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.72 EUR
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1000+3.66 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 25 V
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4+5.49 EUR
10+4.63 EUR
100+4.10 EUR
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25+6.02 EUR
36+4.06 EUR
50+3.40 EUR
100+2.79 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.20 EUR
4000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRF7749L1TRPBF IRF7749L1TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7749L1_DS_v01_02_EN-3363200.pdf MOSFETs N-Ch 60V 1.1mOhm 200nC 2.9V Hexfet
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IRF7749L1TRPBF IRF7749L1TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0007570019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7749L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 0.0015 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5176 Stücke:
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IRF7749L1TRPBF IRF7749L1TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0007570019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7749L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 0.0015 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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