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IRF7769L1TRPBF

IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies

irf7769l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356079bd91cb4 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
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Technische Details IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 0.0028 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 375A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 13447743853051irf7769l1pbf.pdffileid5546d462533600a4015356079bd91cb4.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
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42+3.55 EUR
50+3.37 EUR
100+3.23 EUR
500+3.09 EUR
1000+2.74 EUR
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IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 13447743853051irf7769l1pbf.pdffileid5546d462533600a4015356079bd91cb4.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 12837 Stücke:
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135+4.12 EUR
500+3.80 EUR
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35+4.33 EUR
39+3.66 EUR
40+3.44 EUR
100+2.86 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.31 EUR
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34+4.35 EUR
39+3.68 EUR
40+3.46 EUR
100+2.88 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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32+4.67 EUR
37+3.90 EUR
38+3.66 EUR
100+3.02 EUR
250+2.88 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.55 EUR
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30+5.01 EUR
50+4.75 EUR
500+4.32 EUR
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IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7769l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356079bd91cb4 Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
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10+5.25 EUR
100+4.05 EUR
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IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7769L1_DS_v02_00_EN-1732060.pdf MOSFETs 100V N-CH 142A 3.5 mOhm 200nC
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IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002806797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 0.0028 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002806797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 0.0028 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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