Weitere Produktangebote IRF7769L1TRPBF nach Preis ab 2.49 EUR bis 7.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
auf Bestellung 715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
auf Bestellung 715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
auf Bestellung 2230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
auf Bestellung 1605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
auf Bestellung 855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V N-CH 142A 3.5 mOhm 200nC |
auf Bestellung 15791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V |
auf Bestellung 10541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7769L1TRPBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
IRF7769L1TRPBF |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
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