IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 375A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF7769L1TRPBF nach Preis ab 1.63 EUR bis 7.97 EUR
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
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IRF7769L1TRPBF Produktcode: 107945
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V N-CH 142A 3.5 mOhm 200nC |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
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IRF7769L1TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 3.3W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Power dissipation: 3.3W Case: DirectFET On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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