Technische Details IRF7807VTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V.
Weitere Produktangebote IRF7807VTRPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRF7807VTRPBF | Infineon / IR |
MOSFET MOSFT 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF7807VTRPBF |
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Hersteller: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC
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