IRF7807ZTRPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 1.16 EUR |
| 10+ | 1.00 EUR |
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| 500+ | 0.61 EUR |
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| 2000+ | 0.49 EUR |
| 8000+ | 0.45 EUR |
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Technische Details IRF7807ZTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRF7807ZTRPBF nach Preis ab 3.53 EUR bis 3.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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IRF7807ZTRPBF | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRF7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.011 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| IRF7807ZTRPBF | Hersteller : INTERNATIONAL RECTIFIER |
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
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IRF7807ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7807ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7807ZTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF7807ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V |
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IRF7807ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V |
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IRF7807ZTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
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