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IRF7809AVTRPBF

IRF7809AVTRPBF Infineon Technologies

irf7809av.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details IRF7809AVTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7809AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.3, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7809AVTRPBF IRF7809AVTRPBF INFINEON 138151.pdf description Description: INFINEON - IRF7809AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IRF7809AVTRPBF IRF7809AVTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7809AV_DataSheet_v01_01_EN-3166142.pdf description MOSFET MOSFT 30V 13.3A 9mOhm 41nC
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IRF7809AVTRPBF IRF7809AVTRPBF INFINEON 138151.pdf description Description: INFINEON - IRF7809AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
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Dauer-Drainstrom Id: 13.3
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IRF7809AVTRPBF
Hersteller: INFINEON
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SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IRF7809AVTRPBF description Infineon_IRF7809AV_DataSheet_v01_01_EN-3166142.pdf
IRF7809AVTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 13.3A 9mOhm 41nC
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100+2 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.25 EUR
4000+1.07 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF7809AVTRPBF description 138151.pdf
IRF7809AVTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7809AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
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Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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