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IRF7820TRPBF

IRF7820TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details IRF7820TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2325 Stücke:
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148+1.19 EUR
150+1.17 EUR
168+1.01 EUR
250+0.99 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
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IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.33 EUR
148+1.15 EUR
150+1.09 EUR
168+0.94 EUR
250+0.89 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
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IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 388 Stücke:
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231+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
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IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF INFINEON 1670912.pdf Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
auf Bestellung 40918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
135+1.59 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.31 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7820_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
auf Bestellung 3552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.3 EUR
10+2.73 EUR
100+1.83 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.25 EUR
4000+1.19 EUR
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IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF INFINEON infineon-irf7820-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
auf Bestellung 40216 Stücke:
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58+4.32 EUR
91+2.57 EUR
135+1.59 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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198+0.89 EUR
199+0.88 EUR
200+0.86 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
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4000+0.92 EUR
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IRF7820TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.93 EUR
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IRF7820TRPBF
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Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7820TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
148+1.19 EUR
150+1.17 EUR
168+1.01 EUR
250+0.99 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
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IRF7820TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
132+1.33 EUR
148+1.15 EUR
150+1.09 EUR
168+0.94 EUR
250+0.89 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
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IRF7820TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
231+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
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IRF7820TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
auf Bestellung 40918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.57 EUR
135+1.59 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7820TRPBF infineon-irf7820-datasheet-en.pdf
IRF7820TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.62 EUR
10+2.31 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
auf Bestellung 3552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.3 EUR
10+2.73 EUR
100+1.83 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.25 EUR
4000+1.19 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
auf Bestellung 40216 Stücke:
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58+4.32 EUR
91+2.57 EUR
135+1.59 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
5000+1.02 EUR
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