IRF7820TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF7820TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.0625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0625ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF7820TRPBF nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF7820TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7820TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7820TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V |
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IRF7820TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7820TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7820TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7820TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8 |
auf Bestellung 7976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7820TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V |
auf Bestellung 4035 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7820TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.0625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0625ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF7820TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.0625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0625ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF7820TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7820TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
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| IRF7820TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.7A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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