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IRF7831TRPBF

IRF7831TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details IRF7831TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Hersteller : INFINEON 196835.pdf Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Hersteller : INFINEON 196835.pdf Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
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IRF7831TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10 N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 21 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15; Qg, нКл = 60 @ 4,5 В; Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
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Produktcode: 29859
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irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10 Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7831pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10 Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
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IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10 Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
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IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7831pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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