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IRF7831TRPBF

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Produktcode: 29859
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRF7831TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:21A
  • Drain Source Voltage, Vds:30V
  • On Resistance, Rds(on):4.4mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V
  • Power Dissipation, Pd:2.5W
  • No. of Pins:8

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.81 EUR
217+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
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IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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4000+0.81 EUR
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IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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4000+0.82 EUR
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IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 9287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
651+1 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 651 Stücke
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IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF INFINEON irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10 description Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7831_DataSheet_v01_01_EN-3363102.pdf description MOSFETs MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+2.15 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
2000+0.99 EUR
4000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF INFINEON irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10 description Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.59 EUR
86+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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IRF7831TRPBF International Rectifier/Infineon Infineon-IRF7831.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 21 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15, Qg, нКл = 60 @ 4,5 В, Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
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IRF7831TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 21 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15, Qg, нКл = 60 @ 4,5 В, Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
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