Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF7831TRPBF
IRF7831TRPBF

IRF7831TRPBF

irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10
Produktcode: 29859
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF7831TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:21A
  • Drain Source Voltage, Vds:30V
  • On Resistance, Rds(on):4.4mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V
  • Power Dissipation, Pd:2.5W
  • No. of Pins:8

Weitere Produktangebote IRF7831TRPBF nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.48 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
216+0.66 EUR
217+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 216
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 9287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
651+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 651
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7831_DataSheet_v01_01_EN-3363102.pdf MOSFETs MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.48 EUR
10+1.81 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.83 EUR
4000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Hersteller : INFINEON irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10 Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Hersteller : INFINEON irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10 Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon Infineon-IRF7831.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 21 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15, Qg, нКл = 60 @ 4,5 В, Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBF Hersteller : International Rectifier irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10 Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10 Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH