IRF7855PBF(Transistor) Infineon
Produktcode: 49589
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Infineon
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 60 V
Idd,A: 12 А
Rds(on), Ohm: 9,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1560/26
JHGF: SMD
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Weitere Produktangebote IRF7855PBF(Transistor) nach Preis ab 8.91 EUR bis 8.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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IRF7855PBF | Hersteller : International Rectifier |
MOSFET N-CH 100V 8.3A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7855PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1560 @ 25, Qg, нКл = 26, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: 1 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 2 Stücke: |
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IRF7855PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7855PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 9.4mOhms 26nC |
Produkt ist nicht verfügbar |