IRF7855PBF (Transistor) Infineon
Produktcode: 49589
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Infineon
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 12 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 9,4 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1560/26
Bemerkung: -
Montage: SMD
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Weitere Produktangebote IRF7855PBF (Transistor) nach Preis ab 11.03 EUR bis 11.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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IRF7855PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 100V 8.3A SOIC-8 Транзистори |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7855PBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1560 @ 25, Qg, нКл = 26, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 1 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3800 Stücke |
verfügbar 2 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF7855PBF |
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Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 8.3A SOIC-8 Транзистори
MOSFET N-CH 100V 8.3A SOIC-8 Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.03 EUR |
| IRF7855PBF |
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1560 @ 25, Qg, нКл = 26, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 1 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3800 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1560 @ 25, Qg, нКл = 26, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 1 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3800 Stücke
verfügbar 2 Stücke: