IRF8010PBF
Produktcode: 25040
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 80 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3830/81
Montage: THT
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Technische Details IRF8010PBF IR
- MOSFET, N, 100V, 80A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:100V
- Cont Current Id:80A
- On State Resistance:0.015ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.57`C/W
- Max Voltage Vds:100V
- On State resistance @ Vgs = 10V:15ohm
- Power Dissipation:260W
- Power Dissipation Pd:260W
- Pulse Current Idm:320A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Weitere Produktangebote IRF8010PBF nach Preis ab 1.3 EUR bis 7.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRF8010PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8010PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 68066 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8010PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8010PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 260W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 81nC On-state resistance: 15mΩ |
auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8010PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8010PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8010PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8010PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8010PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 68066 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8010PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V |
auf Bestellung 505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF8010PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC |
auf Bestellung 963 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF8010PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 260W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm |
auf Bestellung 572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8010PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 577 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF8010PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 577+ | 2.09 EUR |
| IRF8010PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 68066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 73+ | 2.43 EUR |
| 100+ | 2.15 EUR |
| 500+ | 2.02 EUR |
| 1000+ | 1.43 EUR |
| IRF8010PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 257+ | 2.57 EUR |
| 500+ | 2.27 EUR |
| 1000+ | 2.06 EUR |
| IRF8010PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 3.05 EUR |
| 50+ | 1.74 EUR |
| 51+ | 1.69 EUR |
| 55+ | 1.57 EUR |
| 100+ | 1.5 EUR |
| IRF8010PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 51+ | 3.51 EUR |
| 53+ | 3.33 EUR |
| 100+ | 3.14 EUR |
| IRF8010PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 51+ | 3.51 EUR |
| 53+ | 3.33 EUR |
| 100+ | 3.14 EUR |
| 250+ | 2.98 EUR |
| 500+ | 2.86 EUR |
| IRF8010PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 3.8 EUR |
| 78+ | 2.09 EUR |
| 100+ | 1.86 EUR |
| 500+ | 1.7 EUR |
| IRF8010PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 3.8 EUR |
| 78+ | 2.18 EUR |
| 100+ | 1.96 EUR |
| 500+ | 1.84 EUR |
| IRF8010PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 68066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 4.37 EUR |
| 73+ | 2.34 EUR |
| 100+ | 2.03 EUR |
| 500+ | 1.88 EUR |
| 1000+ | 1.3 EUR |
| IRF8010PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.63 EUR |
| 50+ | 2.8 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| 500+ | 2.03 EUR |
| IRF8010PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
MOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.03 EUR |
| 10+ | 3.92 EUR |
| 100+ | 2.7 EUR |
| 500+ | 2.26 EUR |
| 1000+ | 2.09 EUR |
| 2000+ | 1.96 EUR |
| IRF8010PBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
Description: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 34+ | 7.47 EUR |
| 65+ | 3.62 EUR |
| 100+ | 2.94 EUR |
| 500+ | 2.42 EUR |
| IRF8010PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| TLP250[F] Produktcode: 28540
2
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Toshiba
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-8
Typ: Transistor-Gate-Treiber
Isolationsspannung Uisol, kV: 5 kV
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 20/1500 mA
Ausgangsspannung Uausg, V: 35 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 0,5/0,5 µs
Betriebstemperatur, °C: -20…+85°С
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-8
Typ: Transistor-Gate-Treiber
Isolationsspannung Uisol, kV: 5 kV
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 20/1500 mA
Ausgangsspannung Uausg, V: 35 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 0,5/0,5 µs
Betriebstemperatur, °C: -20…+85°С
auf Bestellung 2 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.09 EUR |
| 10+ | 1.02 EUR |
| 10 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10R-Hitano) Produktcode: 11065
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 Ohm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 Ohm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 10288 St.
- 1500 St. - stock Köln
- 8788 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.012 EUR |
| 100+ | 0.0067 EUR |
| 1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano) (Elektrolytkondensator) Produktcode: 2947
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 100 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 18x41 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 100 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 18x41 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 80 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 St.:
200 St. - erwartet| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.5 EUR |
| 10+ | 1.34 EUR |
| 100+ | 1.13 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| 220uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR221M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz) Produktcode: 2427
2
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 35 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 35 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 490 St.
erwartet: 4000 St.
- 4000 St. - erwartet 06.10.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.19 EUR |
| 10+ | 0.14 EUR |
| 100+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.094 EUR |
| 9,1 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-9R1-Hitano) (Widerstand SMD) Produktcode: 2104
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 9,1 Ohm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 9,1 Ohm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
auf Bestellung 85769 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.0045 EUR |
| 100+ | 0.0029 EUR |
| 1000+ | 0.002 EUR |








![TLP250[F] TLP250[F]](/img/dip-8-white-img.jpg)



