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IRF8010PBF

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Produktcode: 25040
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 80
Rds(on), Ohm: 0.015
Ciss, pF/Qg, nC: 3830/81
JHGF: THT
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Technische Details IRF8010PBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 80A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:80A
  • On State Resistance:0.015ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.57`C/W
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:15ohm
  • Power Dissipation:260W
  • Power Dissipation Pd:260W
  • Pulse Current Idm:320A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies Infineon_IRF8010_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
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IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies irf8010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cce1f1d47 description Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
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IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON INFN-S-A0012838439-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
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IRF8010PBF description irf8010.pdf
IRF8010PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
auf Bestellung 262 Stücke:
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IRF8010PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
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IRF8010PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
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IRF8010PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
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TLP250[F]
Produktcode: 28540
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TLP250[F]
Hersteller: Toshiba
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Gehäuse: DIP-8
Typ: Optokoppler logisch Ausgang
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 20/1500
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 0.5/0.5
Роб.темп.,°С: -20…+85°C
auf Bestellung 17 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.86 EUR
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10 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Produktcode: 11065
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CR-S_080911.pdf
10 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 10148 St.
1500 St. - stock Köln
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1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano)
Produktcode: 2947
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ECR_081225.pdf
1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano)
Hersteller: Hitano
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Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 100V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 18x41mm
Lebensdauer: 18х41mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 88 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+1.13 EUR
100+0.95 EUR
1000+0.86 EUR
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220uF 35V EXR 10x16mm (EXR221M35B-Hitano)
Produktcode: 2427
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EXR_080421.pdf
220uF 35V EXR 10x16mm (EXR221M35B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 494 St.
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100+0.087 EUR
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9,1 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2104
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RC_series.pdf
9,1 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
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Resistenz: 9,1 Ohm
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P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 85769 St.:
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Anzahl Preis
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1000+0.0017 EUR
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