IRF8010PBF


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Produktcode: 25040
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 80 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3830/81
Montage: THT
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Technische Details IRF8010PBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 80A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:80A
  • On State Resistance:0.015ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.57`C/W
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:15ohm
  • Power Dissipation:260W
  • Power Dissipation Pd:260W
  • Pulse Current Idm:320A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
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IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies irf8010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cce1f1d47 description Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
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IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON INFN-S-A0012838439-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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IRF8010PBF description irf8010.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
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IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
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MOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Toshiba
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Isolationsspannung Uisol, kV: 5 kV
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 20/1500 mA
Ausgangsspannung Uausg, V: 35 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 0,5/0,5 µs
Betriebstemperatur, °C: -20…+85°С
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10 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10R-Hitano)
Produktcode: 11065
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Hersteller: Hitano
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Widerstandswert: 10 Ohm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 10288 St.
  • 1500 St. - stock Köln
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1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2947
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ECR_081225.pdf
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 100 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 18x41 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 80 St.:
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erwartet 200 St.:
200 St. - erwartet
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220uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR221M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2427
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EXR_080421.pdf
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 35 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 490 St.
    erwartet: 4000 St.
    • 4000 St. - erwartet 06.10.2026
    AnzahlPrivatkunde
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    100+0.1 EUR
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    9,1 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-9R1-Hitano) (Widerstand SMD)
    Produktcode: 2104
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    RC_series.pdf
    Hersteller: Hitano
    Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
    Nennwert: 9,1 Ohm
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    U Betrieb, V: 150 V
    Bauform: 0805
    auf Bestellung 85769 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
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    Mindestbestellmenge: 10 St.
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