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IRF8010PBF

Name: IRF8010PBF
Brand: IR
SKU: 25040
Price: 1.4 EUR
Availability: InStock

irf8010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cce1f1d47

Produktcode: 25040

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 80
Rds(on), Ohm: 0.015
Ciss, pF/Qg, nC: 3830/81
JHGF: THT

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Technische Details IRF8010PBF IR

MOSFET, N, 100V, 80A, TO-220
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:N
Typ Voltage Vds:100V
Cont Current Id:80A
On State Resistance:0.015ohm
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Typ Voltage Vgs th:4V
Case Style:TO-220AB
Termination Type:Through Hole
Junction to Case Thermal Resistance A:0.57`C/W
Max Voltage Vds:100V
On State resistance @ Vgs = 10V:15ohm
Power Dissipation:260W
Power Dissipation Pd:260W
Pulse Current Idm:320A
Transistor Case Style:TO-220AB

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Hersteller

Beschreibung

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IRF8010PBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irf8010-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF8010PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D852BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf8010.pdf?ci_sign=d280f417751b4795fda78b32f97b3dbddff52aba

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF8010PBF

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF8010PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRF8010_DataSheet_v01_01_EN-3363071.pdf

MOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC

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IRF8010PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V

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IRF8010PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF8010PBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012838439-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRF8010PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF8010PBF

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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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BC327-25
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Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.8
h21,max: 450
ZCODE: 8541 21 00 90

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IRFP460A
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 0.22
Ciss, pF/Qg, nC: 3520/56
JHGF: THT

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Sicherung 5x20mm 0,400A 230V (50F-0400H)
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Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 0,4A 250V 5x20mm F
Nennstrom, А: 0,4A
Größe: 5х20mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Повільний

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TLP250[F]
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Hersteller: Toshiba
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-8
Typ: Optokoppler logisch Ausgang
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 20/1500
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 0.5/0.5
Роб.темп.,°С: -20…+85°C

verfügbar: 221 Stück

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BC337-16 (Bipolartransistor NPN)
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Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 1
ZCODE: THT

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