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IRF8010STRLPBF

IRF8010STRLPBF Infineon Technologies

infineonirf8010sdatasheeten.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRF8010STRLPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 260W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Infineon Technologies infineonirf8010sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cd69a1d49 Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
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IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Infineon Technologies infineonirf8010sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Infineon Technologies infineonirf8010sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Infineon Technologies infineon_irf8010s_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
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IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cd69a1d49 Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
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IRF8010STRLPBF International Rectifier HiRel Products irf8010spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cd69a1d49 Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
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IRF8010STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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