IRF820PBF VISHAY
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 87+ | 0.83 EUR |
| 97+ | 0.74 EUR |
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Technische Details IRF820PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRF820PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote IRF820PBF nach Preis ab 0.74 EUR bis 4.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF820PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF820PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 4537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF820PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF820PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF820PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 4523 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF820PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF820PBF |
IRF820PBF Транзисторы MOS FET Power |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF820PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 63+ | 2.3 EUR |
| 123+ | 1.16 EUR |
| 145+ | 0.96 EUR |
| IRF820PBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.03 EUR |
| 10+ | 1.3 EUR |
| 100+ | 1.08 EUR |
| 500+ | 0.9 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| 2000+ | 0.79 EUR |
| 5000+ | 0.74 EUR |
| IRF820PBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.98 EUR |
| 50+ | 2.48 EUR |
| 100+ | 2.24 EUR |
| 500+ | 1.81 EUR |
| 1000+ | 1.68 EUR |
| 2000+ | 1.56 EUR |
| IRF820PBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF820PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - IRF820PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 4523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF820PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF820PBF |
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IRF820PBF Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH