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IRF830SPBF

IRF830SPBF Vishay

sihf830s.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Technische Details IRF830SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 74W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF830SPBF IRF830SPBF Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF830SPBF IRF830SPBF Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF830SPBF IRF830SPBF Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF830SPBF IRF830SPBF VISHAY VISH-S-A0010924806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
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IRF830SPBF IRF830SPBF Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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33+5.36 EUR
61+2.81 EUR
100+2.12 EUR
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IRF830SPBF IRF830SPBF Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 719 Stücke:
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IRF830SPBF IRF830SPBF Vishay Semiconductors sihf830s.pdf MOSFETs TO263 500V 4.5A N-CH MOSFET
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1+5.49 EUR
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IRF830SPBF IRF830SPBF Vishay Siliconix sihf830s.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
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4+6.12 EUR
50+3.05 EUR
100+2.75 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.06 EUR
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IRF830SPBF IRF830SPBF VISHAY VISH-S-A0010924806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 249 Stücke:
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39+6.54 EUR
81+2.88 EUR
112+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IRF830SPBF sihf830s.pdf TO-263 Транзистори
auf Bestellung 5 Stücke:
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IRF830SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 196 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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110+1.58 EUR
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auf Bestellung 200 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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95+1.8 EUR
110+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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IRF830SPBF VISH-S-A0010924806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.88 EUR
112+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF830SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+5.36 EUR
61+2.81 EUR
100+2.12 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRF830SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
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Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
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1000+2.06 EUR
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IRF830SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 249 Stücke:
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39+6.54 EUR
81+2.88 EUR
112+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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TO-263 Транзистори
auf Bestellung 5 Stücke:
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