auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 90+ | 1.66 EUR |
| 100+ | 1.45 EUR |
| 101+ | 1.38 EUR |
| 102+ | 1.32 EUR |
| 103+ | 1.25 EUR |
| 250+ | 1.09 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF830SPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRF830SPBF nach Preis ab 1.09 EUR bis 3.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF830SPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF830SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 1155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF830SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF830SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 1160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF830SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IRF830SPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1072 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IRF830SPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 500V 4.5A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1058 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IRF830SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
IRF830SPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
IRF830SPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
IRF830SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
IRF830SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |