IRF840ASPBF (Bipolartransistor NPN) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

Technische Details IRF840ASPBF (Bipolartransistor NPN)

Preis IRF840ASPBF (Bipolartransistor NPN) ab 1.23 EUR bis 6.21 EUR

IRF840ASPBF Hersteller: Vishay/IR N- ; Udss, = 500; Id = 8 ; Ptot, = 3,1; . = smd; Ciss, @ Uds, = 1018 @ 25; Qg, = 38 @ 10 ; Rds = 850 @ 4,8 A, 10 ; T, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 @ 250 ; D2PAK	auf Bestellung 38 Stücke Lieferzeit 14-21 Tag (e)	5+  1.62 EUR 10+  1.4 EUR 100+  1.23 EUR	kaufen
IRF840ASPBF Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA	auf Bestellung 5877 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e)	9+  6.21 EUR 10+  5.93 EUR 100+  5.49 EUR 500+  4.71 EUR	kaufen
IRF840ASPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen		kaufen
IRF840ASPBF Hersteller: VISHAY Material: IRF840ASPBF SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen		kaufen
IRF840ASPBF Hersteller: VISHAY Material: IRF840ASPBF SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen		kaufen
IRF840ASPBF Hersteller: IRF840A 500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package	Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen		kaufen
IRF840ASPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen		kaufen
IRF840ASPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen		kaufen
IRF840ASPBF Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube	auf Bestellung 3 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e)		kaufen