IRF840ASPBF (Bipolartransistor NPN) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

IRF840ASPBF (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 43368
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Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

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Technische Details IRF840ASPBF (Bipolartransistor NPN)

Preis IRF840ASPBF (Bipolartransistor NPN) ab 1.23 EUR bis 6.21 EUR

IRF840ASPBF
Hersteller: Vishay/IR
N- ; Udss, = 500; Id = 8 ; Ptot, = 3,1; . = smd; Ciss, @ Uds, = 1018 @ 25; Qg, = 38 @ 10 ; Rds = 850 @ 4,8 A, 10 ; T, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 @ 250 ; D2PAK
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IRF840ASPBF
IRF840ASPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA
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IRF840ASPBF
IRF840ASPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF840ASPBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRF840ASPBF SMD N channel transistors
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IRF840ASPBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRF840ASPBF SMD N channel transistors
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IRF840ASPBF
Hersteller:
IRF840A 500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
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IRF840ASPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF840ASPBF
IRF840ASPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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