IRF840ASPBF (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 43368
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Weitere Produktangebote IRF840ASPBF (Bipolartransistor NPN) nach Preis ab 1.65 EUR bis 6.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRF840ASPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840ASPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 12909 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840ASPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840ASPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840ASPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840ASPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF840ASPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF840ASPBF |
TO263 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF840ASPBF | Hersteller : Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1018 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF840ASPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |