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IRF840ASPBF (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 43368
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 104
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IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY IRF840ASPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.57 EUR
35+2.04 EUR
39+1.84 EUR
50+1.49 EUR
100+1.39 EUR
250+1.29 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.01 EUR
60+2.39 EUR
100+2.18 EUR
250+1.98 EUR
500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1007 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.46 EUR
61+2.3 EUR
100+2.03 EUR
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Mindestbestellmenge: 33
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IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay Semiconductors sihf840.pdf MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 12569 Stücke:
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1+5.33 EUR
10+2.73 EUR
100+2.32 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.65 EUR
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IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.6 EUR
50+3.37 EUR
100+3.06 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRF840ASPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF840ASPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF840ASPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
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Anzahl Preis
48+3.01 EUR
60+2.39 EUR
100+2.18 EUR
250+1.98 EUR
500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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IRF840ASPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1007 Stücke:
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Anzahl Preis
33+4.46 EUR
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IRF840ASPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
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1+5.33 EUR
10+2.73 EUR
100+2.32 EUR
500+1.94 EUR
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IRF840ASPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
auf Bestellung 988 Stücke:
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