IRF840BPBF
Produktcode: 105114
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ZCODE: 8541290010
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRF840BPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840BPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840BPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840BPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840BPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |