IRF840BPBF Vishay Semiconductors
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| 10+ | 1.41 EUR |
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Technische Details IRF840BPBF Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRF840BPBF nach Preis ab 0.99 EUR bis 3.40 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRF840BPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V |
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IRF840BPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF840BPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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IRF840BPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840BPBF Produktcode: 105114
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Transistoren > MOSFET N-CH ZCODE: 8541290010 |
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IRF840BPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| IRF840BPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; Idm: 18A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.7A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IRF840BPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; Idm: 18A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.7A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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