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IRF840LCPBF

IRF840LCPBF Vishay

91067.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3310 Stücke:
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Technische Details IRF840LCPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Vishay 91067.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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168+1.01 EUR
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IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY IRF840LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.44 EUR
31+2.82 EUR
37+2.31 EUR
50+1.94 EUR
100+1.65 EUR
250+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRF840LCPBF IRF840LCPBF Vishay 91067.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.84 EUR
55+3.18 EUR
100+2.62 EUR
250+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IRF840LCPBF IRF840LCPBF Vishay Semiconductors 91067.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+2.95 EUR
100+2.26 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.63 EUR
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IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY VISH-S-A0019267806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 1279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.18 EUR
72+3.25 EUR
100+2.3 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IRF840LCPBF IRF840LCPBF Vishay Siliconix 91067.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 7087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.07 EUR
50+4.11 EUR
100+3.72 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.84 EUR
2000+2.67 EUR
5000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 28 Stücke:
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IRF840LCPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
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31+2.82 EUR
37+2.31 EUR
50+1.94 EUR
100+1.65 EUR
250+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRF840LCPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+3.84 EUR
55+3.18 EUR
100+2.62 EUR
250+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IRF840LCPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
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1+5.09 EUR
10+2.95 EUR
100+2.26 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.63 EUR
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IRF840LCPBF VISH-S-A0019267806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840LCPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 1279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.18 EUR
72+3.25 EUR
100+2.3 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
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3+8.07 EUR
50+4.11 EUR
100+3.72 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.84 EUR
2000+2.67 EUR
5000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840LCPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH