
IRF840SPBF VISHAY

Produktcode: 82665
Hersteller: VISHAYGehäuse: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 200 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF840SPBF Produktcode: 188626
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
![]() Gehäuse: TO-263 (D2PAK) Uds,V: 500 V Idd,A: 8 A Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 JHGF: SMD |
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IRF840SPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840SPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840SPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840SPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840SPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1058 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF840SPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1058 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840SPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 2529 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840SPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840SPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840SPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840SPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840SPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840SPBF | Hersteller : Vishay/IR |
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auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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4,7uF 350V ECR 10x13mm (ECR4R7M2VB-Hitano) (Elektrolytkondensator) Produktcode: 3132
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 350V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 10x13mm
Lebensdauer: 10х13mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 350V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 10x13mm
Lebensdauer: 10х13mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
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ES2G(Diode) Produktcode: 60290
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Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-214
Urev.,V: 300 V
Iausricht.,А: 2 A
Beschreibung: Швидкий
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-214
Urev.,V: 300 V
Iausricht.,А: 2 A
Beschreibung: Швидкий
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 25 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104) Produktcode: 60735
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Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung 94040 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
13 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 1221
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Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 13 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 13 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 8810 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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