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IRF840SPBF

IRF840SPBF VISHAY

sihf840s.pdf
Produktcode: 82665
Hersteller: VISHAY
Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 182 Stück:
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IRF840SPBF IRF840SPBF
Produktcode: 188626
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Hersteller : IR 91070-1768556.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: SMD
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IRF840SPBF IRF840SPBF Hersteller : Vishay sihf840s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 940 Stücke:
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115+1.27 EUR
118+1.19 EUR
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IRF840SPBF IRF840SPBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A121737746469&compId=IRF840SPBF.pdf?ci_sign=401d5fcb38d9a1ede3617c4245ab735250d9d697 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
68+1.06 EUR
100+1 EUR
Mindestbestellmenge: 45
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF840SPBF IRF840SPBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihf840s.pdf MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
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2+1.78 EUR
10+1.46 EUR
100+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF840SPBF IRF840SPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihf840s.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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50+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IRF840SPBF IRF840SPBF Hersteller : Vishay sihf840s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF840SPBF IRF840SPBF Hersteller : Vishay sihf840s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF840SPBF IRF840SPBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF840SPBF Hersteller : Vishay/IR sihf840s.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Ptot2, Вт = 125; D2PAK
auf Bestellung 63 Stücke:
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4,7uF 350V ECR 10x13mm (ECR4R7M2VB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3132
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ECR_081225.pdf
4,7uF 350V ECR 10x13mm (ECR4R7M2VB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 350V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 10x13mm
Lebensdauer: 10х13mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 2000 Stück
2000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.088 EUR
100+0.054 EUR
1000+0.049 EUR
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ES2G(Diode)
Produktcode: 60290
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es2f-ser_datasheet.pdf
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-214
Urev.,V: 300 V
Iausricht.,А: 2 A
Beschreibung: Швидкий
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 378 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104)
Produktcode: 60735
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yageo-datasheet-cap.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104)
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung 29098 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 500 Stück:
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13 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1221
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RC_series.pdf
13 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 13 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 7709 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH