Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF8513PBF

IRF8513PBF

Name: IRF8513PBF
Brand: IR
SKU: 26536
Price: 0.84 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 26536

Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 08.11.2015
Rds(on), Ohm: 0.0155
Ciss, pF/Qg, nC: 07.05.766
Bem.: 2N Halbbrucke
JHGF: SMD

auf Bestellung 1 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.84 EUR

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRF8513PBF

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit
IRF8513PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/11A 8-Pin SOIC	Produkt ist nicht verfügbar
IRF8513PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W, 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 11A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete	Produkt ist nicht verfügbar
IRF8513PBF	Hersteller : Infineon / IR	MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC	Produkt ist nicht verfügbar