IRF8513PBF
Produktcode: 26536
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 8-11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0155 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 766/5,7
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IRF8513PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W, 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 11A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRF8513PBF | Infineon / IR |
MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF8513PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W, 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W, 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
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| IRF8513PBF |
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Hersteller: Infineon / IR
MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC
MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC
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