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IRF8707PBF

IRF8707PBF

irf8707pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 39735
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 760/6,2
JHGF: SMD
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Anzahl Preis
1+0.28 EUR
10+0.24 EUR
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Technische Details IRF8707PBF IR

  • MOSFET, N SO-8
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:30V
  • On State Resistance:0.0119ohm
  • Transistor Case Style:SO
  • Case Style:SO-8 (SOIC-8)
  • Cont Current Id:11A
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:88A
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Charge Qrr @ Tj = 25`C:6.2nC
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Typ Voltage Vgs th:1.8V
  • Voltage Vds:30V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF8707PBF IRF8707PBF Hersteller : Infineon Technologies irf8707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d57f81d6b Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
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IRF8707PBF IRF8707PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF8707_DataSheet_v01_01_EN-1732665.pdf MOSFETs 30V SINGLE N-CH 11.9mOhms 6.2nC
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Ic,A: 0,1 A
h21: 450
ZCODE: SMD
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№ 3: 8516 90 00 00
verfügbar: 15 Stück
Anzahl Preis
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Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 14308 Stück
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