IRF8714TRPBFXTMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IRF8714TRPBFXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRF8714TRPBFXTMA1 nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRF8714TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs TRENCH <= 40V |
auf Bestellung 4162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF8714TRPBFXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8714TRPBFXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8714TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF8714TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF8714TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R |
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