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IRF8788TRPBF

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Produktcode: 202860
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies infineonirf8788datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
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IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies infineonirf8788datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
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IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
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IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies infineonirf8788datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
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170+1.04 EUR
172+1.01 EUR
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250+0.84 EUR
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Mindestbestellmenge: 170 Stücke
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IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies infineonirf8788datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
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143+1.24 EUR
170+1 EUR
172+0.95 EUR
196+0.81 EUR
250+0.76 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies infineonirf8788datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
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91+1.95 EUR
126+1.38 EUR
159+1.07 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.75 EUR
4000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies infineonirf8788datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
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159+1.04 EUR
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1000+0.75 EUR
2000+0.67 EUR
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Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF8788_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg
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1000+0.95 EUR
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IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF INFINEON IRSDS09939-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 3771 Stücke:
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87+2.88 EUR
108+2.17 EUR
140+1.54 EUR
500+1.27 EUR
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IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF INFINEON IRSDS09939-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 3771 Stücke:
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100+2.88 EUR
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IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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100+1.5 EUR
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IRF8788TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
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IRF8788TRPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
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IRF8788TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
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IRF8788TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
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AnzahlPrivatkunde
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172+1.01 EUR
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250+0.84 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
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IRF8788TRPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
143+1.24 EUR
170+1 EUR
172+0.95 EUR
196+0.81 EUR
250+0.76 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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IRF8788TRPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+1.95 EUR
126+1.38 EUR
159+1.07 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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IRF8788TRPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5887 Stücke:
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91+1.95 EUR
126+1.36 EUR
159+1.04 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
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MOSFETs MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg
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100+1.33 EUR
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24000+0.84 EUR
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IRF8788TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 3771 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
87+2.88 EUR
108+2.17 EUR
140+1.54 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IRF8788TRPBF IRSDS09939-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8788TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 3771 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+2.88 EUR
108+2.17 EUR
140+1.54 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF8788TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4029 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
6+3.5 EUR
10+2.23 EUR
100+1.5 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.08 EUR
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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