Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF8788TRPBF
IRF8788TRPBF

IRF8788TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF8788TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IRF8788TRPBF nach Preis ab 0.41 EUR bis 1.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
256+0.57 EUR
260+0.54 EUR
278+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
4000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 256
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
242+0.6 EUR
245+0.57 EUR
249+0.54 EUR
252+0.51 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 242
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.61 EUR
242+0.58 EUR
245+0.55 EUR
249+0.52 EUR
252+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
auf Bestellung 6043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.53 EUR
17+1.06 EUR
100+0.83 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF8788_DataSheet_v01_01_EN-3363144.pdf MOSFETs MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg
auf Bestellung 25158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.62 EUR
10+1.13 EUR
25+1.12 EUR
100+0.89 EUR
250+0.88 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS09939-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS09939-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBF
Produktcode: 202860
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE9E8C17B9F1A303005056AB0C4F&compId=irf8788pbf.pdf?ci_sign=f0fcf5faf3394f41f78b4d6575d17f702fe54c98 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE9E8C17B9F1A303005056AB0C4F&compId=irf8788pbf.pdf?ci_sign=f0fcf5faf3394f41f78b4d6575d17f702fe54c98 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH