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IRF8910PBF

Name: IRF8910PBF
Brand: IR
SKU: 32112
Price: 0.60 EUR
Availability: BackOrder

Produktcode: 32112

Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.0134
Ciss, pF/Qg, nC: 04.07.960
Bem.: 2N
JHGF: SMD

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	IRF8910PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	IRF8910PBF	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 50mOhms 13.3nC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH