IRF8910PBF
Produktcode: 32112
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.0134
Ciss, pF/Qg, nC: 04.07.960
Bem.: 2N
JHGF: SMD
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF8910PBF | International Rectifier |
SO8 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
IRF8910PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRF8910PBF | Infineon Technologies |
MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 50mOhms 13.3nC |
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| IRF8910PBF |
|
Hersteller: International Rectifier
SO8 Транзистори
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| IRF8910PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
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| IRF8910PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 50mOhms 13.3nC
MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 50mOhms 13.3nC
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