IRF8910TRPBFXTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 2.45 EUR |
| 12+ | 1.54 EUR |
| 100+ | 1.03 EUR |
| 500+ | 0.80 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 2000+ | 0.67 EUR |
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Technische Details IRF8910TRPBFXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF8910TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0107 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRF8910TRPBFXTMA1 nach Preis ab 0.56 EUR bis 0.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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IRF8910TRPBFXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8910TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0107 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRF8910TRPBFXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8910TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0107 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 3093 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8910TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8910TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8910TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8910TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF8910TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF8910TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 |
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IRF8910TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
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